高低压配电系统
地址：广东省深圳市南山区高新南四道18号
大厦供电电源来自深圳市南山区供电所，采用10KV环网供电。大厦共设三处变电所，3#变电所内共装设1600KVA、1250 KVA变压器各2台；2 #变电所内共装设1000KVA、1250KVA变压器各2台；1#变电所内装设1250KVA变压器2台。
备用发电机组为康菱品牌，使用美国科克发动机，功率为1500KW。
空调系统
西座有垂直升降客、货梯9台，除货梯载重为2000KG外，其余均为1350KG，高区客梯速度为3.5m/s，低区客梯、消防梯速度均为2.5m/s，货梯速度为0.5m/s。
裙楼有垂直升降梯4台，扶手电梯2台，客梯载重均为1350KG，速度均为1.75m/s。
交通便捷：地铁1号线（罗宝线）高新园站C出口，仅需5分钟，出行方便！
裙楼及东、西座1-2层为水冷中央空调系统，配备2台600冷吨、1台200冷吨的特灵品牌主机，房间设风机盘管加新风。东、西座3-24层配备大金品牌VRV空调系统。项目整体指标

周边配套：银行：农业银行、交通银行、招商银行、银行多家，餐饮多样化，美食、茶餐厅、咖啡厅

电梯系统
创维半导体设计大厦电梯采用瑞士进口迅达品牌。共有23台（其中垂直升降梯21台，扶梯2台）。
东座有垂直升降电梯8台，载重均为1350KG，高区客梯速度为3.5m/s，低区客梯、消防梯、VIP电梯速度均为2.5m/s。

创维半导体设计大厦大厦外墙采用金属铝板、玻璃幕墙（采用中空玻璃、隔音、隔热性能至佳）。停车位726个。
创维半导体设计大厦位置：深圳市南山区高新南四道与科技南十路
创维半导体设计大厦为深圳特区成立30周年**产业项目之一，于2010年8月24日奠基，建设周期3年。大厦位于深圳市**园南区核心区域，占地面积17025.5平方米，总建设面积124533.62平方米，计容建筑面积为84931.04平方米，建筑楼高99.8米，长171米；


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